Образование Окончил с отличием электромеханический факультет Новочеркасского политехнического института (НПИ), квалификация – инженер-электрик. Прошел подготовку в ЮРГПУ(НПИ) в аспирантуре и докторантуре.
Ученая степень Доктор технических наук
Ученое звание Доцент, старший научный сотрудник
Должность Заведующий кафедрой
Область научных интересов Термомиграция, жидкофазная эпитаксия, силовые полупроводниковые приборы.
Преподаваемые курсы "Физика", "Конструкторско-технологические основы полупроводниковых приборов и интегральных микросхем", "Современные проблемы технологии получения электронных устройств"
Достижения Почетное звание «Почетный работник сферы образования Российской Федерации». Почетная грамота Минобрнауки России. Почетная грамота Южно-Российского государственного политехнического университета (НПИ) имени М.И. Платова за развитие научных исследований, достижения в реализации программ по приоритетным направлениям науки и техники, руководство научно-исследовательской деятельностью студентов и аспирантов
Направление подготовки и специальности Электропривод и автоматизация промышленных установок (специалитет, 1982 г.), Твердотельная электроника и микроэлектроника (кандидат наук, 1990 г.), Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники (доктор наук, 2017)
Повышение квалификации и(или) профессиональная переподготовка ДДП " Организация и организационное обеспечение процесса подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре ", ФГБОУ ДПО (Институт развития дополнительного профессионального образования ) , г. Москва, 2015 г.. ДДП "История и философия науки", ФГАОУ ВПО Южный федеральный университет, г. Ростов-на-дону, 2014 г.. ДДП "Система управления качеством работы диссертационных процессов", ФГАОУ ВПО Южный федеральный университет, г. Ростов-на-дону, 2014 г.. ДДП "Методы и технологии управления вузом в современных условиях", Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", г. Санкт-Петербург, 2014 г., ДДП "Актуальные проблемы высшего образования: современные педагогические технологии, информационно-коммуникативные технологии и обучение лиц с ограниченными возможностями здоровья ", ФГБОУ ВО "ЮРГПУ (НПИ) имени М.И. Платова", 2017 г.
Общий стаж работы 38
Стаж работы по специальности 38
Основные публикации

 

  1. Кинетика термомиграции в системах Si–Al–Ga и Si–Al–Sn /В.В. Кузнецов, В.Н. Лозовский, В.П. Попов, Э.Р. Рубцов, Б.М. Середин // Неорганические материалы, 2018, том 54, № 1, с. 35–39. (Thermomigration Kinetics in the Si–Al–Ga and Si–Al–Sn Systems. V.V. Kuznetsov, V.N. Lozovskii, V.P. Popov, E.R. Rubtsov, B.M. Seredin, Inorganic Materials, 2018, Vol. 54, No. 1, pp. 32–36).
  2. О пределе инжектирующей способности кремниевых p + -n–переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов /Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, В.Б. Шуман, Б.М. Середин //Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, вып.6. с. 830-834 (On the limit of the injection ability of silicon p + -n –junctions as a result of fundamental physical effects Mnatsakanov, T.T., Levinshtein, M.E., Shuman, V.B., Seredin, B.M. 2017, Semiconductors, 51 (6), pp. 798-802).
  3. Кристаллические дефекты в фотопреобразователях, полученных методом термомиграции /В.Н. Лозовский, А.А. Ломов, Л.С. Лунин, Б.М. Середин, Ю.М. Чесноков // Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, вып. 3. с .297-301. (Crystal Defects in Solar Cells Produced by the Method of Thermomigration. V. N. Lozovskii, A. A. Lomov, L. S. Lunin, B. M. Seredin, and Yu. M. Chesnokov.Semiconductors, 2017, Vol. 51, No. 3, pp. 285–289).
  4. Проявления индуцированной нестабильности межфазных границ при термомиграции. С.Ю. Князев, В.Н. Лозовский, В.С. Лозовский, Б.М. Середин//Письма в Журнал технической физики, 2016. Т. 42. № 20. С. 49-56. (Manifestations of induced instability of phase boundaries during thermomigration. Knyazev, S.Y., Lozovskii, V.N., Lozovskii, B.M. Seredin. Tech. Phys. Lett. 2016. Vol. 42, No 10. pp. 1045–1048).
  5. Лозовский, В.Н. Особенности легирования кремния методом термомиграции. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Б.М. Середин /Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2015. Т.18. №3. С.179-188.
  6. Лозовский, В.Н. Особенности получения силовых кремниевых приборов методом термомиграции. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Б.М. Середин /Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 2015. №2-3 (236-237). С.105-115.
  7. Лозовский, В.Н. Стабилизация термомиграции профилированием растворяющейся пластины кремния. / В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Б.М. Середин //Вестник Южного научного центра РАН. 2015. 2. С.10-16.
  8. Лунин, Л.С. Струйно-абразивная обработка поверхности кремния в процессе термомиграции. Л.С. Лунин, Б.М. Середин, Л.М. Середин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2015, №12. - С.91–99. (Abrasive Blasting of Silicon Surfaces during the Thermal-Migration Process. L. S. Lunin, B. M. Seredin, and L. M. Seredin. Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2015, Vol. 9, No. 6, pp. 1346–1354).
  9. Лозовский, В.Н. Сравнение диффузионных и эпитаксиальных методов получения радиационно-стойких структур силовых полупроводниковых приборов. /В.Н. Лозовский, В.П. Попов, Б.М. Середин // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2015. №3. С.57-61.
  10. Лозовский, В.Н. Влияние профиля анодного перехода структур силовых приборов на прямое падение напряжения. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Б.М. Середин //Электромеханика, 2015. №5(541). С.54-58.
  11. Исследование стабильности термомиграции ансамбля линейных зон с помощью трехмерной компьютерной модели, построенной на основе метода точечных источников поля. Л.С. Лунин, С.Ю. Князев, Б.М. Середин, А.С.  Полухин, Е.Е. Щербакова. //Вестник Южного научного центра РАН, 2015, №4. С.9-15.
  12. Оборудование для получения кремниевых структур методом термомиграции. В.Н. Лозовский, Б.М. Середин, А.С. Полухин, А.И. Солодовник. //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2015. №5 (239). С.65-76
  13. Формирование массивов квантовых точек GaxIn1-xAsyP1-y в процессе ионно-лучевого осаждения /И.А. Сысоев, М.Л. Лунина, Д.Л. Алфимова, А.В. Благин, Д.А. Гусев , Б.М. Середин // Неорганические материалы. – 2014. – Том 50.– №3. – С. 237-244. (Growth of GaxIn1-x AsyP1-y /GaAs Quantum dot arrays by ion beam deposition. Sysoev I.A., Lunina M.L., Alfimova D.L., Blagin A.V., Gusev D.A., Seredin B.M. Inorganic Materials. 2014. Т. 50. № 3. С. 215-221)