Образование Окончил электромеханический факультет Новочеркасского политехнического института в 1982 году, квалификация – инженер- электрик; аспирантура- физика твердого тела (н.с. 01.04.07), НПИ,1989г.; докторантура- математическое моделирование (н.с. 05.13.18), ЮРГПУ(НПИ), 2016г.
Ученая степень Доктор технических наук
Ученое звание Доцент
Должность Профессор
Область научных интересов Термомиграция, жидкофазная эпитаксия, силовые полупроводниковые приборы.
Преподаваемые курсы "Организация и планирование производства", "Инноватика", "Квантовая механика и нанофизика", "Физика", "Общая физика", "Физика (спецглавы)", "Физика (общая)", "Спецглавы физики", "Избранные главы физика", "Спецглавы физики (основы ядерной физики)", "Элементы ядерной физики и физики реактора", "Квантовая и ядерная физика", "Специальные главы по физике (Теплотехника и термодинамика)"
Достижения Почетная грамота Минобрнауки РФ. В 2018 г. награжден Почетной грамотой Южно-Российского государственного политехнического университета (НПИ) имени М.И. Платова за развитие научных исследований, достижения в реализации программ по приоритетным направлениям науки и техники, руководство научно-исследовательской деятельностью студентов и аспирантов (Приказ ЮРГПУ(НПИ) №72-О от 5.02.2018 г.)
Направление подготовки и специальности Специальность - Электропривод и автоматизация промышленных установок (специалитет, 1982 г.), 05.27.01 - Твердотельная электроника и микроэлектроника (к.т.н., 1990 г.)
Повышение квалификации и(или) профессиональная переподготовка 1. Удостоверение о повышение квалификации № 772402213622, ДДП " Организация и организационное обеспечение процесса подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре ", ФГБОУ ДПО (Институт развития дополнительного профессионального образования ) , г. Москва, дата выдачи -20 января 2015 г.. Удостоверение о повышении квалификации № 008115, ДДП "История и философия науки", ФГАОУ ВПО Южный федеральный университет, г. Ростов-на-дону, дата выдачи - 29 мая 2014 г.. Удостоверение о повышении квалификации № 772401707621, ФГБОУ ДПО Институт развития дополнительного профессионального образования, г. Москва, дата выдачи - 02 октября 2014 г.. Удостоверение о повышении квалификации № 011768, ДДП "Система управления качеством работы диссертационных процессов", ФГАОУ ВПО Южный федеральный университет, г. Ростов-на-дону, дата выдачи - 12 декабря 2014 г.. Удостоверение о повышении квалификации № 020543, ДДП "Методы и технологии управления вузом в современных условиях", Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", г. Санкт-Петербург, дата выдачи - 2014 г., 2. Повышение квалификации " Актуальные проблемы высшего образования: современные педагогические технологии, информационно-коммуникативные технологии и обучение лиц с ограниченными возможностями здоровья ", ФГБОУ ВО "ЮРГПУ (НПИ) имени М.И. Платова" 2017 г.
Общий стаж работы 34
Стаж работы по специальности 34
Основные публикации

 

  1. Кинетика термомиграции в системах Si–Al–Ga и Si–Al–Sn /В.В. Кузнецов, В.Н. Лозовский, В.П. Попов, Э.Р. Рубцов, Б.М. Середин // Неорганические материалы, 2018, том 54, № 1, с. 35–39. (Thermomigration Kinetics in the Si–Al–Ga and Si–Al–Sn Systems. V.V. Kuznetsov, V.N. Lozovskii, V.P. Popov, E.R. Rubtsov, B.M. Seredin, Inorganic Materials, 2018, Vol. 54, No. 1, pp. 32–36).
  2. О пределе инжектирующей способности кремниевых p + -n–переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов /Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, В.Б. Шуман, Б.М. Середин //Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, вып.6. с. 830-834 (On the limit of the injection ability of silicon p + -n –junctions as a result of fundamental physical effects Mnatsakanov, T.T., Levinshtein, M.E., Shuman, V.B., Seredin, B.M. 2017, Semiconductors, 51 (6), pp. 798-802).
  3. Кристаллические дефекты в фотопреобразователях, полученных методом термомиграции /В.Н. Лозовский, А.А. Ломов, Л.С. Лунин, Б.М. Середин, Ю.М. Чесноков // Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, вып. 3. с .297-301. (Crystal Defects in Solar Cells Produced by the Method of Thermomigration. V. N. Lozovskii, A. A. Lomov, L. S. Lunin, B. M. Seredin, and Yu. M. Chesnokov.Semiconductors, 2017, Vol. 51, No. 3, pp. 285–289).
  4. Проявления индуцированной нестабильности межфазных границ при термомиграции. С.Ю. Князев, В.Н. Лозовский, В.С. Лозовский, Б.М. Середин//Письма в Журнал технической физики, 2016. Т. 42. № 20. С. 49-56. (Manifestations of induced instability of phase boundaries during thermomigration. Knyazev, S.Y., Lozovskii, V.N., Lozovskii, B.M. Seredin. Tech. Phys. Lett. 2016. Vol. 42, No 10. pp. 1045–1048).
  5. Лозовский, В.Н. Особенности легирования кремния методом термомиграции. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Б.М. Середин /Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2015. Т.18. №3. С.179-188.
  6. Лозовский, В.Н. Особенности получения силовых кремниевых приборов методом термомиграции. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Б.М. Середин /Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 2015. №2-3 (236-237). С.105-115.
  7. Лозовский, В.Н. Стабилизация термомиграции профилированием растворяющейся пластины кремния. / В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Б.М. Середин //Вестник Южного научного центра РАН. 2015. 2. С.10-16.
  8. Лунин, Л.С. Струйно-абразивная обработка поверхности кремния в процессе термомиграции. Л.С. Лунин, Б.М. Середин, Л.М. Середин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2015, №12. - С.91–99. (Abrasive Blasting of Silicon Surfaces during the Thermal-Migration Process. L. S. Lunin, B. M. Seredin, and L. M. Seredin. Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2015, Vol. 9, No. 6, pp. 1346–1354).
  9. Лозовский, В.Н. Сравнение диффузионных и эпитаксиальных методов получения радиационно-стойких структур силовых полупроводниковых приборов. /В.Н. Лозовский, В.П. Попов, Б.М. Середин // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2015. №3. С.57-61.
  10. Лозовский, В.Н. Влияние профиля анодного перехода структур силовых приборов на прямое падение напряжения. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Б.М. Середин //Электромеханика, 2015. №5(541). С.54-58.
  11. Исследование стабильности термомиграции ансамбля линейных зон с помощью трехмерной компьютерной модели, построенной на основе метода точечных источников поля. Л.С. Лунин, С.Ю. Князев, Б.М. Середин, А.С.  Полухин, Е.Е. Щербакова. //Вестник Южного научного центра РАН, 2015, №4. С.9-15.
  12. Оборудование для получения кремниевых структур методом термомиграции. В.Н. Лозовский, Б.М. Середин, А.С. Полухин, А.И. Солодовник. //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2015. №5 (239). С.65-76
  13. Формирование массивов квантовых точек GaxIn1-xAsyP1-y в процессе ионно-лучевого осаждения /И.А. Сысоев, М.Л. Лунина, Д.Л. Алфимова, А.В. Благин, Д.А. Гусев , Б.М. Середин // Неорганические материалы. – 2014. – Том 50.– №3. – С. 237-244. (Growth of GaxIn1-x AsyP1-y /GaAs Quantum dot arrays by ion beam deposition. Sysoev I.A., Lunina M.L., Alfimova D.L., Blagin A.V., Gusev D.A., Seredin B.M. Inorganic Materials. 2014. Т. 50. № 3. С. 215-221)